Advanced Functional Materials: 利用衬底斜切角调控量子阱实现三维载流子束缚,突破紫外LED性能

中国科学技术大学孙海定和龙世兵课题组和中国科学院宁波材料所郭炜和叶继春课题组在高衬底斜切角(4度)蓝宝石衬底上成功外延生长出高质量铝镓氮(AlGaN)半导体薄膜并制备出高效深紫外LED。团队通过创建有源区量子阱内势能不均一,引发了高强度载流子局域化效应,实现了目前已知最高的内量子效率(92%)。