Advanced Energy Materials:莫尔钙钛矿光电探测器用于偏振成像

中国科学院化学研究所宋延林和李明珠研究团队通过纳米压印技术,使用低成本的DVD作为模板构筑光栅结构,制备了一种莫尔钙钛矿光电探测器,通过提高光捕获性能和结晶质量,有效提高了光电探测器探测性能,同时器件具有良好的偏振特性,实现了偏振成像应用。

Nano Select:雾化化学沉积法生长氧化镓薄膜及高性能光电晶体管应用

西安电子科技大学微电子学院郝跃院士课题组研究应用了一种低成本的雾化化学沉积法,在硅衬底上生长了非晶氧化镓薄膜并制作性能优异的紫外光电晶体管,该生长技术设备结构简单、易操作、能耗低,很大程度降低了氧化镓薄膜的生长成本,并取得了高性能的光电晶体管。

Small:Ti3C2 MXene/Si界面调控提升自驱动光电探测器响应度和探测率应用于微弱光信号检测

五邑大学宋伟东博士和复旦大学方晓生教授合作报道了一种通过简易的化学溶液生长界面SiOx层改善界面质量的方法,发现该方法可同时抑制Ti3C2 MXene/Si光电探测器暗电流和改善光响应。该探测器在自驱动模式下,具有超高的比探测率(2.03×1013 Jones)和响应度(402 mA/W)。同时,该探测器光暗比超过106,外量子效率峰值可达到60.3%。

Small:准二维钙钛矿高性能自供能柔性光电探测器

香港城市大学何颂贤团队利用准二维钙钛矿薄膜的不同相之间梯度排列的特性,做成了纵向的自供能高性能光电探测器。得益于这种纵向的结构,该自供能光电探测器还克服了准二维钙钛矿较差的机械性能的缺点,表现出良好的抗弯折性。

Advanced Materials:紫外至太赫兹波段二维材料光电探测器

中科院上海技物所黄志明课题组综述了近年来紫外至太赫兹波段的二维材料光电探测器,指出部分二维材料探测器性能被高估的原因,并将二维材料光电探测器性能与传统半导体材料探测器性能进行了比较,提出电磁诱导势阱效应(EIW)机理能利用二维材料厚度薄等优势,可适合发展二维材料高性能探测器。

Small:碲化硅 ——面向宽带光电探测的二维硅基半导体

中科院固体物理研究所李广海研究员/安徽大学李亮教授使用化学气相沉积法合成出了硅基二维材料碲化硅,并通过其超宽的光致发光谱揭示了Si2Te3的本征缺陷,发现这种缺陷导致了二维Si2Te3场效应晶体管的p型导电行为和其光电探测器在405nm-1064nm范围内的宽带光谱响应。

Advanced Functional Materials:基于铌掺杂钛酸锶单晶的高性能光热协同探测器

中国科学院北京纳米能源与系统研究所杨亚研究员课题组基于热电-光电子学效应制备了典型热电材料-铌掺杂钛酸锶的自驱动传感器件,该器件可以实现对于温度和光照(包括超带宽波长)的同时,独立且高性能的探测。

Small Structures:二维过渡金属硫族化合物异质结光电探测器的能带结构工程

从二维过渡金属硫族化合物(TMD)异质结探测器的基本工作原理出发,总结此类异质结的界面构筑和能带重组机制及其光电子激发和传递的基本机理。将TMD异质结能带结构分为TMD与零带隙材料、窄带隙半导体、中带隙半导体和宽带隙半导体等四类结构,基于最新研究成果,总结了不同能带结构的电荷转移机理的异同及如何将其应用于调控和提高光电器件的特定性能。

Advanced Functional Materials:柔性的具有良好性能的CdS/CdSe 量子点敏华太阳能电池

新加坡南洋理工大学材料学院刘政课题组应用化学气相沉积法合成出新型两维材料二硒化锡(SnSe2),以原子层的二硒化锡为基础,加工出高性能的场效应晶体管和高响应速度的光电探测器。

Advanced Optical Materials:用于光电探测器的不同纳米结构钙钛矿材料

中国科学院福建物质结构研究所郑庆东研究员团队综述了近年来基于不同纳米结构钙钛矿材料的光电探测器,探讨了钙钛矿材料的纳米结构及其形貌与器件性能之间的关系,特别是总结了二维有机-无机杂化钙钛矿材料在光电探测器中的应用,探讨了其优异的器件稳定性以及不逊于传统三维钙钛矿材料的光电性能。