Advanced Materials:非易失铁电极化——构建低维半导体结型器件的新方法

中国科学院上海技术物理研究所研究团队与合作者利用非易失性的铁电极化掺杂低维半导体材料,构建了面内p-n结,该p-n结具有整流比大、漏电流小的特点,可实现高灵敏光电探测。