Small:基于二维材料 WS2纳米片的忆阻器实现低功耗神经形态计算

河北大学闫小兵教授课题组联合中科院微电子所刘琦研究员课题组利用二维材料WS2纳米片制备了两端忆阻器件,实现了操作电流低至1微安和开关能耗低至飞焦量级的低功耗特性,并且实现了突触功能的模拟。此外,通过研究提出了基于电子在空位间跳跃传输的物理开关机制。

Advanced Electronic Materials:基于聚对二甲苯和石墨烯阻挡层的低功耗有机柔性忆阻器

北京大学微纳电子学研究院蔡一茂教授课题组与中科院微电子所刘琦课题组合作研制了一种基于聚对二甲苯和石墨烯阻挡层的低功耗柔性忆阻器。

Advanced Electronic Materials:基于全钙钛矿多铁隧道结的超快、低功耗、非易失、多态信息存储

中国科学技术大学李晓光教授和殷月伟教授课题组选择具有磁电耦合存储特性的多铁隧道结(Multiferroic Tunnel Junction)作为研究对象,开发了一种具有超低功耗、快速处理、多阻态的全图形化Crossbar结构器件。