Advanced Functional Materials:基于离子双向传输和超灵敏脉冲响应的MXene/电解质人工突触

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所徐文涛教授课题组应用电池结构设计脉冲响应灵敏的固态电解质/MXene人工突触,以阴阳离子在MXene表面吸脱附的双向扩散传输为基础,模仿了生物突触间隙的信息传递行为,并结合表征揭示了器件的离子掺杂机制。此外,该人工突触模拟了多项树突整合功能,展现了其并行处理前端信息的能力,表明其在人工离子感觉系统中有着潜在的应用前景。

Advanced Function Materials:超柔性、耐火,耐辐射、环境稳定性忆阻器,全无机离子聚合物实现高性能柔性忆阻器的人工突触模拟

苏州大学贺竞辉、路建美团队开创性的选择一种低聚合物的水溶性全无机离子聚合物材料聚磷酸铵(APP),APP由稳定的多磷酸主链和离子迁移的侧链的铵离子组成,兼具稳定性与柔性的忆阻性能材料。

Advanced Functional Materials:给神经突触插上机械塑性的翅膀-摩擦电调制浮栅神经形态晶体管

中科院北京纳米能源所孙其君研究员、王中林院士团队提出了一种利用机械位移实现突触可塑性的浮栅突触晶体管。通过摩擦电势对浮栅晶体管捕获电荷和沟道载流子的调制,成功模拟了典型的突触可塑性行为,并在此基础上构筑人工神经网络,实现通过机械塑性可调的神经形态逻辑开关。

Advanced Materials Technologies: 基于电化学晶体管的低功耗动态可重构人工突触

香港理工大学应用物理系严锋教授课题组以耗尽型有机电化学晶体管(OECTs)作为研究对象,构筑了低功耗、高分辨率、动态可重构的人工突触。

Physica Status Solidi (RRL) – Rapid Research Letter:面向类脑计算的忆阻器件和神经网络研究进展

随着大数据和人工智能时代的到来,复杂的计算任务和多变的应用场景对计算机性能提出了更高吞吐量、更低功耗的要求。而 […]

类脑计算——基于二硫化钼忆阻晶体管的人工突触

新加坡国立大学Ang Kah-Wee教授课题组与合作团队以化学气相沉积(CVD)方法合成的晶圆尺寸单层二硫化钼(MoS2)为基础,设计并制备了基于多端忆阻晶体管(Multiterminal memtransistor)的人工突触器件,其优异的生物突触模拟特性为神经形态计算系统提供了更高的设计灵活性。

用于类脑计算的忆阻器人工突触研究进展综述

中国科学院宁波材料技术与工程研究所诸葛飞研究员课题组以“Memristive Synapses for Brain-Inspired Computing”为题在Adv. Mater. Technol.发表综述文章,总结了不同种类忆阻器人工突触的研究进展,重点着眼于器件的工作机理、交叉阵列集成和认知功能。

基于金属核壳纳米颗粒构筑新型人工突触

深圳大学电子科学与技术学院的韩素婷副教授与高等研究院周晔研究员开发了一种基于RRAM的人工突触。在该工作中,研究者选用溶液法制备的Au@Ag 核壳纳米颗粒掺杂在水溶性的绝缘聚合物聚乙烯吡咯烷酮中作为活性层。