InfoMat:二维过渡金属硫族化合物合成、电子器件与光电子器件应用研究进展

深圳大学廖武刚课题组与华中科技大学曾祥斌课题组合作共同撰写了题为“Synthesis of two-dimensional transition metal dichalcogenides for electronics and optoelectronics”的综述性文章,系统概述了TMDCs及其异质结的制备方法,及其在电子器件和光电子器件上的应用及研究进展,同时指出了在该领域面临的挑战和未来的发展方向。

Small Methods:二维过渡金属硫族化合物的结构与应用综述

近期,中国科学院半导体研究所魏钟鸣研究员、李京波研究员课题组发表题为“Various Structures of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides and Their Applications”的综述文章,总结了近年来二维过渡金属硫族化合物及其合金和异质结的相关研究工作,分析了这三类体系晶体堆积、合成与制备方法、能带结构和物理性能,并简要介绍了他们在各类光电器件方面的应用。

二维半导体二硫化钨纳米材料光学特性的综述与展望

复旦大学丛春晓教授和新加坡南洋理工大学于霆教授、尚景志博士、汪彦龙博士合作系统地介绍了二维层状半导体材料二硫化钨的激子发光特性包括激子、带电激子、束缚激子和双激子,以及层数、应力、衬底、缺陷、外加磁场、圆偏光、电学掺杂、化学掺杂、等离子体效应等对层状二硫化钨能带结构和激子发光特性的影响和调制。