Small Structures:层状二维半导体于未来晶体管之应用

台湾积体电路制造公司(台积电)技术研究处黄汉森及李连忠博士研究组, 针对层状二维半导体晶体管应用在未来高端芯片之愿景及目前所需克服的挑战, 特別是針對如何選擇合適的材料, 提出了产业的观点。

Small综述:二维材料的卤素功能化

南华大学核科学技术学院汤贤与合作者对二维材料卤素功能化这一领域的研究进展进行了全面的回顾,对最前沿、最先进的研究进行了详细阐述和批判性评述,对未来研究方向提出了建议。

Advanced Materials:线性可调的高性能垂直双栅范德华光电探测器

近年来,层状二维半导体在光电探测领域得到了广泛应用,且表现出了优越的探测性能和应用潜力。一般来讲,高增益且线性的光电响应对高分辨光电探测具有重要意义,但是很难在单一沟道或p-n结器件中实现。本文基于双极性二维半导体材料,设计了垂直双栅结构的光电晶体管,将晶体管和二极管的优势结合起来,实现高响应度且线性响应的光电探测器。

Advanced Materials:紫外至太赫兹波段二维材料光电探测器

中科院上海技物所黄志明课题组综述了近年来紫外至太赫兹波段的二维材料光电探测器,指出部分二维材料探测器性能被高估的原因,并将二维材料光电探测器性能与传统半导体材料探测器性能进行了比较,提出电磁诱导势阱效应(EIW)机理能利用二维材料厚度薄等优势,可适合发展二维材料高性能探测器。

Small:二维垂直异质结的大面积可控生长

中国江南大学电子工程系肖少庆、顾晓峰和张秀梅等人采用一步限域空间化学气相沉积法合成了大面积垂直二维异质结:通过不引入或引入氢气获得具有多个WS2晶畴的MoS2/ WS2异质结或单一的MoS2/ WS2异质结。

Small:碲化硅 ——面向宽带光电探测的二维硅基半导体

中科院固体物理研究所李广海研究员/安徽大学李亮教授使用化学气相沉积法合成出了硅基二维材料碲化硅,并通过其超宽的光致发光谱揭示了Si2Te3的本征缺陷,发现这种缺陷导致了二维Si2Te3场效应晶体管的p型导电行为和其光电探测器在405nm-1064nm范围内的宽带光谱响应。

Advanced Materials: 面对面原位生长二维MOF薄膜

中国科学院化学研究所陈建毅研究员、刘云圻院士团队针对二维金属有机框架(Metal organic frameworks, MOFs)材料不熔不溶的加工难题,提出了一种在绝缘衬底表面直接原位生长二维MOF薄膜的策略,并在石英、蓝宝石、玻璃等衬底上成功地制备了均匀的二维Cu2(TCPP) (TCPP: meso-tetra(4-carboxyphenyl)porphine, 中-四(4-羧基苯基)卟吩) MOF薄膜。制备的薄膜具有高的晶体结构和优异的电学性质。该方法也可以用于制备其它二维MOF材料,具有普适性。

Advanced Functional Materials:通过表面等离激元调控二维TMDs材料的谷荧光辐射

过渡金属硫化物(TMDs)布里渊区的K和K′谷会选择性地响应自旋角动量相反的光子,产生谷荧光辐射;表面等离激元则是调控谷荧光辐射的一种有效手段。北京大学方哲宇课题组调研了近5-7年相关领域的工作,撰写了基于不同的原理的表面等离激元调制TMDs谷荧光辐射的综述,并讨论了该领域的潜在发展方向。

Small Structures:非常规结构的二维元素材料

武汉大学化学与分子科学学院付磊课题组聚焦于非常规结构的二维元素材料,对其合成策略进行了详尽的综述,同时,揭示了非常规结构类型、元素类型及其合成策略之间的相关性,为拓展非常规结构元素二维材料种类及其功能和潜在应用的一些前景和潜在机遇发表了观点。

Small Science:二维材料在电化学储能器件中的原位动态表征研究进展

Small Science近日发表了来自中国科学院大连化学物理研究所吴忠帅研究员、傅强研究员与德国马普所Klaus Müllen教授合作的综述。论文介绍了二维材料的制备、二维材料基电化学储能器件的应用进展及其原位动态电化学表征技术的最新进展,并对该领域的继续发展以及亟待解决的关键科学问题进行了深度展望。