InfoMat:1+1大于2——二维异质结提升红外光电探测性能策略

基于近年来二维异质结红外光电探测器的研究进展,电子科技大学熊杰教授等系统总结了目前二维异质结在红外光电探测器上的研究进展,在Wiley新期刊InfoMat上发表了综述论文“Two-dimensional heterostructure promoted infrared photodetection devices”。

Small:基于二维金属碳化物(Ti3C2Tx)的高性能忆阻器及其物理机制

河北大学电子工程学院闫小兵教授及其课题组在石墨烯材料研究的基础上,报道了一种具有类石墨烯性质的二维金属碳化物(Ti3C2Tx)作为功能层的忆阻器。该忆阻器表现出了超快的脉冲调控性能,并对器件的物理机理进行了深入的分析。

Small:条分缕析 —— 能源转换与存储应用中的MXene材料表面化学与修饰策略

西北工业大学材料学院杜乘风副教授课题组与新加坡南洋理工大学材料学院颜清宇教授联合撰写综述文章,就近几年MXene材料的表面化学、修饰技术及其纳米复合物在能源转换与存储领域的应用作了系统总结。

二维纳米材料光子学应用之饱和吸收

二维纳米材料拥有优越的饱和吸收性能,可用于激光锁模或者调Q,从而获取超快脉冲。

Small:更平更大更低温—6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆

中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯单晶晶圆制备研究取得新进展。由谢晓明研究员领导的石墨烯研究团队在较低温度(750℃)条件下采用化学气相外延成功制备6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆。

InfoMat:大面积极性可控的二维PtSe2薄膜制备

近日,中国科学院上海技术物理研究所王建禄研究员和复旦大学孙正宗教授共同在InfoMat上在线发表了标题为“Large‐area high quality PtSe2 thin film with versatile polarity”的研究论文。

类脑计算——基于二硫化钼忆阻晶体管的人工突触

新加坡国立大学Ang Kah-Wee教授课题组与合作团队以化学气相沉积(CVD)方法合成的晶圆尺寸单层二硫化钼(MoS2)为基础,设计并制备了基于多端忆阻晶体管(Multiterminal memtransistor)的人工突触器件,其优异的生物突触模拟特性为神经形态计算系统提供了更高的设计灵活性。

Physica Status Solidi (RRL):基于二硫化铼的电学和光电应用综述进展

复旦大学微电子学院周鹏课题组全面总结了二硫化铼的基本性质、电学和光电应用。

Advanced Electronic Materials:具有面外垂直极化的新型二维材料:LiAlTe2

吉林大学张立军课题组通过基于物理原则的第一性原理计算材料设计,发现了一类具有面外垂直极化的新型二维材料:LiAlTe2。课题组刘准博士(吉林大学材料科学与工程学院助理研究员)为论文第一作者,与美国密苏里大学的David J. Singh教授合作完成该研究。

InfoMat:基于平面各向异性二维材料的研究进展

基于近几年学术界在相关领域取得的研究进展,华中科技大学翟天佑教授和电子科技大学熊杰教授等人合作,受邀在Wiley新期InfoMat上在线发表综述论文“Emerging in‐plane anisotropic two‐dimensional materials”。