Advanced Materials: 激光直写构建晶界可调的高效能单层MoS2平面突触器件

最近,清华大学材料学院刘锴课题组针对现有的二维人工突触器件中导电通道随机形成难以控制的关键问题,利用激光直写技术所产生的瞬态局域光热效应,对单层MoS2的特定区域进行处理,使其在瞬态达到高温并发生部分氧化从而形成MoS2/MoS2-xOδ图案化结构。