Advanced Materials:单层二维半导体中空位的潜在益处

北京科技大学张跃院士团队与美国加州大学洛杉矶分校段镶锋教授团队通过精确调控单层二维半导体中的空位浓度,首次报道了利用单层二维半导体材料中单原子空位提升其晶体管器件电学性能新方法,推动了单层二维晶体管器件在关键性能指标上的重要突破。

Advanced Functional Materials:超快的电化学氧化剥离MoS2成超薄的平面堆积结构

武汉理工大学麦立强教授和罗雯博士开发了一种快速的电化学剥离方法,可以将硫化钼快速地转变为原子层厚度的堆叠结构,这种电化学氧化的策略不同于传统的插层剥离和表面刻蚀,是将块材硫化钼的特定原子层选择性的反应,仅留下均匀的原子层厚度堆叠结构。

Small:基于光响应纳米通道的超灵敏光电化学生物传感器

东南大学机械工程学院刘磊教授课题组应用ALD技术在AAO模板上可控地生长了MoS2,基于此构筑了用于miRNA-155(乳腺癌等癌症诊断的生物标志物之一)超灵敏检测的新型光电化学生物传感器。

Advanced Materials:优异储钾性能的超薄二硫(硒)化钼/碳片二维异质结的可控构筑及其储能机理研究

中国科学技术大学余彦教授和北京大学侯仰龙教授共同设计了一种超薄二硫(硒)化钼/碳片二维异质结构,通过提升电化学动力学及构筑化学键锚定的策略实现了高性能储钾,并通过原位拉曼光谱及非原位高分辨透射揭示了二硒化钼在储钾过程中的“插入-转化”机理。

Small:慕氢而设-纳米多孔异质结解决二硫化钼碱性析氢活性差的难题

湖南师范大学物理与电子科学学院余芳教授、周海青教授、唐东升教授和休斯敦大学陈硕教授等人通过原位构建Se-MoS2纳米颗粒与网状CoSe2纳米线阵列的异质结,获得低成本、高性能的pH普适析氢催化剂。在碱性、酸性和中性电解液中,该催化剂在层状MoS2材料中展现出非常优异的析氢活性,在10 mA/cm2的析氢过电位分别为30、84和95 mV。

Small:氧磷共掺杂显著提高二硫化钼纳米片的电催化析氢性能

剑桥大学刘金龙博士、南京信息工程大学朱冬冬教授和合作者发现氧磷共掺杂可以显著提高二硫化钼纳米片在酸性环境中的电催化析氢性能。

Small:临场扫描穿透式电子显微镜观测原子尺度下制作数层二硫化钼的平面内异质接面

数层二硫化钼的物化特性与堆叠配置和层数相关。台湾新竹交通大学吴文伟教授透过临场穿透式电子显微镜将此材料雕刻出平面内的异质结面,并观察到了动态的自组装行为,包括捲曲、折叠、蚀刻和重组。原子分辨影像解析出此结构的层数变化和堆叠顺序。能损光谱的分析证实元素的分布,为开发尖端晶体的光电装置的设计奠基。

Small:基于混相和层间距调控策略制备MoS2用于钠离子电池

山东大学熊胜林教授课题组与合作者,通过小分子插层策略拉大层状材料MoS2的层间距以及构建金属/半导体混相结构,提高钠离子嵌入/脱出动力学和优化电极材料的导电性和稳定性,制备的孪生MoS2纳米线结构在钠离子负极测试中展现出超高的循环稳定性。

Advanced Materials:通过缺陷工程构筑单层二硫化钼同质结逻辑转换器

北京科技大学张跃院士、张铮副教授课题组利用溶液电子诱导效应,在单层二硫化钼中精确、可控地制造了单硫空位(Monosulfur vacancies:Vmonos),通过单硫空位引入的浅能级缺陷诱导捕获电子有效调控了单层MoS2电学性能,成功构筑了原子层厚度单层MoS2同质结型器件,实现了逻辑转换功能。

Advanced Materials:单层二硫化钼纳米片助力光催化甲醇裂解制氢

澳大利亚科廷大学夹国华课题组和合作者以单层二硫化钼纳米片为催化剂,实现了常温常压下太阳光裂解液体甲醇制氢。