Advanced Functional Materials:基于高面内各向异性二硒化钯的取向选择偏振光探测

华中科技大学翟天佑和周兴团队以原子层的二硒化钯为基础展示了其强的面内光学和电学各向异性,并通过温度调控使各向异性电子迁移率比达到8.9。此外,高灵敏度的偏振光探测及与偏振吸收光谱相似的取向反转行为被证实,表明偏振敏感的光电流检测来源于半导体本征的线性二色性。

Advanced Functional Materials:能带工程助力提升二维半导体材料热电性能

新加坡科技局材料与工程研究院吴靖研究员和新加坡国立大学John T. L. Thong教授课题组以原子层的二硒化钯为基础,利用其特殊五边形褶皱晶格结构,通过能带工程,加工出了高性能的热电器件。