InfoMat:二维二硒化钨的设计合成及其在信息技术的应用

本文调研了二硒化钨的结构和性质,以及基于大面积全膜和单晶二硒化钨的材料制备及光电器件的应用探究。笔者详尽的总结WSe2研究的最新进展。其行文思路如下:首先,介绍了结构、类型、形貌以及合成路线,然后,讨论了电学、光学等性质,随后,着重介绍他们作为半导体在电子器件方面的应用,包含场效应晶体管、气体传感器、光电探测器、压力传感器、压电传感器、CMOS器件、数字逻辑器件、反相器、发光二极管应用等。最后,对二硒化钨的后续制备及柔性电子应用,以及其在能谷电子学和自旋电子学等方向的潜力,做出了展望。

Advanced Materials:一分为二,驭光而为——基于局部化学改性的高性能p-n结光电探测器

北京航空航天大学物理学院张俊英教授、王钰言助理教授团队根据密度泛函理论计算(DFT),提出了一种利用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对少层WSe2和WS2器件实现有效可控电子掺杂的方案,并通过对少层WSe2进行局部电子掺杂构造出高性能的平面p-n结光电探测器。

Advanced Science:二维材料表面催化机制

四川大学材料学院王泽高研究员与丹麦Mingdong Dong、美国Xiao Cheng Zeng科研团队合作以二维双极性二硒化钨为模型催化剂,定量研究揭示了载流子在表面催化中的机制,提出了一种外场调制的可逆催化系统。

基于零维硫化铅量子点与二维二硒化钨纳米片协同效应的高性能宽光谱光电场效应晶体管

华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)宋海胜和唐江教授研究团队巧妙利用了二硒化钨和硫化铅量子点优越互补特性设计和实现了零维-二维协同工作的高性能光电探测器。