Advanced Science:高阻态分枝中构筑单一负光电导效应扩展忆阻器功能

西南大学段书凯教授带领的类脑智能芯片研发团队,其中周广东教授是骨干力量,团队与加拿大滑铁卢大学博士后孙柏、韩国成均馆大学孙林峰教授合作,在Ag|TiO2|F-doped SnO2忆阻器的界面处嵌入石墨烯量子点调节了电子、离子、氧空位三者在界面处的动力学过程,在忆阻器的单枝高阻态(High Resistance State, HRS)中实现了负光电导效应。