Advanced Materials Technologies:借助半导体工艺制作卤化物钙钛矿信息器件

中科院半导体研究所陈弘达课题组和北京理工大学陈棋课题组针对这一问题,通过在标准光刻工艺中添加聚对二甲苯(Parylene)保护薄膜的方式,成功制作出特征尺寸为2微米的MAPbI3光电探测器和CsPbBr3忆阻器。

近场直写技术打印高度有序的微纳米线阵列—精密元件制作的新思路

中科院半导体研究所沈国震课题组通过对传统静电纺丝技术进行改进设计出一种新型近场直写技术,可直接在硬性基底和柔性基底上打印出高度有序的微纳米线阵列,实现了对单根微纳米线的精确操控,为大面积光电器件和精密元件的集成提供了新的思路。

基于量子点/纳米线复合纳米结构的柔性宽光谱图像传感器

中科院半导体研究所沈国震课题组采用两步气相沉积法,在宽带隙的n型Zn2SnO4(~3.6 eV)纳米线表面修饰了窄带隙的p型SnS(~1.3 eV)量子点,并以柔性的PET塑料薄膜为衬底,成功地研制出一种柔性紫外-可见-近红外宽光谱图像传感器。

柔性自驱动可穿戴传感系统的研究综述与展望

中国科学院半导体研究所沈国震研究员在Wiley综合期刊Small上发表了综述性文章,总结了近些年来柔性可穿戴传感及自驱动传感系统领域研究工作所取得的重大突破和进展,并对该领域未来的研究热点进行了预测与分析。