1G NOR型闪存芯片设计开发取得重要进展

近期中国科学院微电子研究所的刘明研究员课题组设计开发了一款基于65nm工艺的1G NOR型浮栅闪存芯片。这款芯片具有1Gb的存储容量,小于50ns的读取时间,可以直接应用于计算机、数据通信网络等系统中。