本征点缺陷在Mg2X (X = Si, Ge, Sn)基热电材料中的重要角色

浙江大学材料学院赵新兵教授、朱铁军教授及博士生刘晓华等与上海大学张文清教授、杨炯教授和席丽丽副研究员合作系统计算了Mg2X (X = Si, Ge, Sn)化合物中本征点缺陷形成能及缺陷浓度,并从化学键键能及缺陷引起的畸变能角度分析三者缺陷存在差异的原因。通过计算能带及差分电荷密度图,分析Mg间隙缺陷对于电传输性能的影响。

高温环境下先进材料的应用:基于局部应变能方法的疲劳评估

意大利Padova大学Filippo Berto教授经研究表明,应变能密度方法作为一种可靠的设计方法,可有效应用于高温环境下的疲劳评估。

VIIIB、IB族过渡金属元素低维纳米结构的稳定性与形成规则

中国科学院宁波材料技术与工程研究所陈亮研究员、杨建辉博士与中国科学院物理研究所王刚研究员、陈小龙研究员开展合作,利用第一性原理方法研究发现:与碳元素的sp2杂化类似,过渡金属元素在二维单原子层结构中存在一种亚稳杂化态-准sd4杂化态,其对低维过渡金属元素纳米结构的形貌起着决定性的影响。

理论模型预测新型二维光催化材料

美国内布拉斯加大学林肯分校化学系曾晓成讲座教授(同时也是中国科大千人B教授)及其研究团队通过第一性原理动力学模拟发现实验制备的蜂窝状ZnSe单层可以转变成一种新型的、四面体型的单层结构。

石墨烯与硅烯中的量子反常霍尔效应获得理论新突破

肥微尺度物质科学国家实验室与物理系双聘教授乔振华研究组与校内外同行合作在预言石墨烯和硅烯中的量子反常霍尔效应方面取得新突破。

“相对论哈密顿家谱”

描述电子运动的量子力学方程HΨ=EΨ包含三个成分,即决定何种物理的哈密顿H、描述电子状态的波函数Ψ以及相应的物理可观测量E(λ)。任何量子化学、量子物理计算都要首先根据要描述的物理问题选择相应的哈密顿H。