Advanced Functional Materials:基于溶液法制备的氧化物半导体/有机半导体杂化光电晶体管

西湖大学工学院朱博文研究员团队和中科院化学所李永舫院士团队、孟磊研究员合作开发了可溶液法制备的In2O3/poly{5,5′-bis[3,5-bis(thienyl)phenyl]-2,2′-bithiophene-3-ethylesterthiophene]} (PTPBT-ET) 的n型金属氧化物半导体/聚合物半导体异质结结构,构建了高性能有机/无机杂化(In2O3/PTPBT-ET)光电晶体管

Small:超高空穴迁移率场效应晶体管

最近,山东大学杨再兴教授等利用金属-半导体结调控沟道空穴浓度,有效地减弱半导体的库伦散射,实现了超高空穴迁移率(3372 cm2·V-1·s-1)的场效应晶体管。