Advanced Optical Materials:基于AlN异质结的真空紫外雪崩探测器

可用于真空紫外(VUV)弱光传感和成像的超灵敏光电探测器在空间探测和电子工业领域有着极大的应用需求。然而,传统的VUV弱光探测器-光电倍增管因具有体积大和工作电压高的缺点,其应用范围被大大限制。近年来,超宽禁带半导体的迅速发展为小型化、抗辐射的无滤波VUV弱光探测器的实现提供了新可能。基于超宽禁带半导体的雪崩倍增效应开发VUV雪崩探测器(APD)成为研究者们致力的新方向。

最近,中山大学郑伟课题组基于自主搭建的VUV测试平台报道了基于高质量AlN异质结的VUV APD。该器件具有约30 fA的极低暗电流,并且首次在低光功率水平下实现了120-200 nm范围内的可观的光谱响应和在室温下>4000的增益,成为目前所报道的工作波长最短的APD。这一具有可集成性的VUV APD为未来实现VUV单光子探测和成像提供了参考。

图1 器件的雪崩特性和光谱响应

中山大学郑伟副教授为论文通讯作者。

论文信息:

Vacuum Ultraviolet (120–200 nm) Avalanche Photodetectors

Lemin Jia, Feng Huang, Wei Zheng*

Advanced Optical Materials

DOI: 10.1002/adom.202102424

原文链接:https://doi.org/10.1002/adom.202102424