InfoMat:二维过渡金属硫族化合物合成、电子器件与光电子器件应用研究进展

近年来,二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)及其异质结由于其出色的性能成为国内外研究热点。与二维石墨烯的零带隙不同,二维TMDCs拥有较大的禁带宽度及可调的带隙等特性使其在逻辑器件、光电子器件等应用方面取得广泛应用,如场效应晶体管、逻辑电路、柔性电子器件、光电探测器、光伏器件、生物传感等,展示了巨大的商业应用潜力。然而,为了满足实际器件应用需要,高质量、大面积二维TMDCs的合成仍然面临巨大的挑战。

针对现状与未来发展,深圳大学廖武刚课题组与华中科技大学曾祥斌课题组合作共同撰写了题为“Synthesis of two-dimensional transition metal dichalcogenides for electronics and optoelectronics”的综述性文章,系统概述了TMDCs及其异质结的制备方法,及其在电子器件和光电子器件上的应用及研究进展,同时指出了在该领域面临的挑战和未来的发展方向。作者概述了二维TMDCs的基本性质,详细总结了近年来二维TMDCs及其异质结的各种合成方法(包括化学方法和物理方法等),系统介绍了其在电子器件(如场效应晶体管和逻辑电路等)及光电子器件(如光电探测器、光伏器件和发光二极管等器件)方面的应用。

同时,作者也指出了在大规模生长TMDCs及其异质结上所要面临的问题,希望通过本综述了解二维TMDCs材料的研究进展、影响其性能的工艺参数以及扩大其在未来电子器件和光电子器件等领域应用的途径,为在该领域工作的科研工作者提供借鉴与参考。该工作发表在InfoMat(DOI:10.1002/inf2.12161)上。