InfoMat:基于卤化铅钙钛矿的阻变存储器研究进展

物联网时代的到来,导致大量存储和处理数据问题的出现。传统的硅基非易失性存储器微型化接近极限,研究人员正在寻找新的结构和材料来满足使用要求。电阻随机存取存储器(RRAM)因其运行速度快、密度高、功耗低,而作为新一代的存储器件从众多存储器中脱颖而出,它有望突破摩尔定律并解决被广泛关注的冯·诺依曼极限。钙钛矿氧化物、金属氧化物、二维材料等都有报道用于RRAM器件中。

卤化铅钙钛矿材料因其优异的电荷传输特性,弱光敏感性,工艺制备上又兼具低温溶液法及成本可控的优点,近年来在光电器件方面广泛应用。利用卤化铅钙钛矿材料作为存储介质,在RRAM领域取得了显著进展。特别是将钙钛矿材料的光敏性与RRAM器件相结合而形成的基于钙钛矿的光电RRAM,与普通RRAM相比,扩展了器件的应用多样性。因此,对现有的卤化铅钙钛矿RRAM的研究成果进行整合和总结是必要的。

近日,西安电子科技大学常晶晶教授团队与新加坡国立大学欧阳建勇教授、陕西师范大学刘生忠教授对基于卤化铅钙钛矿的阻变存储器研究进展进行了综述。首先对RRAM的概念,目前的研究和发展以及表征器件性能的关键参数(耐久、保持、电阻比、工作电压和开关速度)进行了简单介绍。接着讨论了RRAM的器件工作原理,包括导电丝模型、界面效应和电子效应。最后总结了有机-无机和全无机卤化铅钙钛矿RRAM器件的研究现状,并指出了阻碍其发展的关键因素。本文有望为基于卤化铅钙钛矿基的RRAM提供一个全面的视角,并促进纳米级存储器的发展。该工作在InfoMat上以题为“Recent advances in resistive random access memory based on lead halide perovskite”在线发表(DOI: 10.1002/inf2.12162)。

该工作发表在InfoMat(DOI: 10.1002/inf2.12162)上。