Stuart S.P. Parkin 获得MRS 2012 年Von Hippel 奖

材料研究协会( Materials Research Society )将授予Stuart S.P. Parkin 最高的荣誉- Von Hippel 奖。Stuart casino S.P. Parkin目前担任IBM的会士(fellow)、磁电子学团队的经理以及阿尔马登研究中心(Almaden Research Center)的IBM-斯坦福自旋电子科学与应用中心的主任。Von Hippel 奖每年会授予那些在材料交叉学科研究领域中有突出贡献的个人。Parkin在自旋电子材料科学与技术领域做出了开创性的贡献,尤其是建立了自旋工程磁力异质结构的基础,并且证实了人工原子层的磁多层结构在磁场传感、磁存储器以及数据存储器件领域中的应用。

Parkin将在2012年11月28日下午6:30在喜来登波士顿饭店宴会厅举行的2012 MRS秋季会议上接受该奖项。届时,他将在会上进行关于电子自旋的报告。

Von Hippel奖包括10,000美元的现金奖励、授予MRS荣誉会员以及一个独特的奖杯,该奖杯上嵌有红宝石激光晶体,这象征着材料研究的多面性。这个奖授予那些材料科学家和工程师公认的高质量研究成果,这些成果具有很强的前瞻性并会跨越传统科学的研究领域,犹如Arthur von Hippel一生所证实的。

Parkin在自旋电子研究领域拥有很大的影响力。自1988年首次发现巨磁电阻(Giant Magneto Resistance, GMR)效应以后,Parkin打开了GMR的应用之门。他证实震荡层间耦合是几乎所有过渡和贵金属基的多层结构的普遍特性,随后他开发一种特殊性能材料的方法,即GMR效应。对于大量元素组合的系统研究,Parkin发现了铁磁体和非磁性金属的结合在室温下可以产生很大的磁电阻效应。这些设计出来的“纳米工程器件”具有复杂的特性,随着与快速薄膜结构溅射方法共同发展,使得GMR效应的应用成为了可能。

Parkin的研究方向主要包括氧化物薄膜异质结构、高温超导体、磁薄膜结构、自旋电子材料和器件、高级传感器、存储器以及逻辑器件。Parkin发现,磁阻薄膜结构可使磁盘驱动器的存贮容量增大1,000倍。最近,Parkin正从事新型存储设备的研发——赛道内存(racetrack memory),该技术利用自旋电流直接控制纳米扇区的磁性状态—磁畴壁—磁纳米线范围。这一概念基于磁纳米线的三维阵列的信息存储,利用电流引发畴壁沿着纳米线方向产生位移。这种器件主要目的是匹配大容量硬盘,从此二维器件同样可以与闪存竞争。赛道内存概念被选为2009年MIT科技综述“十大可以改变我们生活方式的新兴技术”之一。

Parkin在剑桥大学获得学士和博士学位,并于1982年加入IBM从事博士后工作,第二年即成为正式员工。1999年,他被任命为IBM会士,即IBM最高的技术荣誉。他还是材料研究协会、皇家学会、美国物理学会、英国物理学会、美国电气及电子工程师学会、美国科学促进学会以及美国艺术与科学学院的会员。同时,他还是国家科学院和国家工程院的成员。2012年,Parkin被选为印度科学院荣誉会士。他的荣誉包括1991年获得MRS国家杰出青年基金、洪堡研究奖、美国物理协会奖、欧洲物理协会惠普物理奖、美国物理协会国际新材料奖、IUPAP奖等等。2001年,R&D杂志称他为该年度首位革新者。Parkin已经发表了大约400篇文章和93个专利。