氧空位在LaMnO3薄膜阻变效应中的关键作用研究取得新进展

随着器件尺寸的不断缩小,传统存储器的发展受到了越来越多的限制,具有结构简单、工作速度快、功耗低、与CMOS 兼容、非挥发性等优点的新型阻变存储器研究受到了越来越多的关注。到目前为止,阻变材料的工作机制尚无定论,但研究者认为氧空位在阻变过程中起着重要的作用。由于实验中直接观测到氧空位比较困难,氧空位对阻变效应的作用依然缺乏实验上的直接证据。

中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)光物理实验室金奎娟小组,在LaMnO3 (LMO) 薄膜阻变效应中氧空位的作用研究取得新进展。最近徐中堂博士、金奎娟研究员、王灿副研究员、吕惠宾研究员和杨国桢院士等人利用激光分子束外延设备成功地制备了具有优良阻变效应的LMO薄膜,与物理所谷林研究员合作,利用先进的球差校正扫描透射明场成像技术(STEM-ABF)观察了不同氧压下生长的LMO薄膜样品,并利用上海同步辐射光源X射线表征了不同氧压下生长的LMO薄膜的晶格特征。研究表明,LMO薄膜阻变效应与氧空位之间存在着直接关系,即随着氧空位的增加在一定的晶格畸变范围内LMO薄膜阻变效应增强。外加脉冲偏压刺激下,不同氧压下生长的LMO薄膜均有稳定的高低阻态变化,且能维持在高低阻态较长时间,高低阻态变化比率随着氧空位的增加在一定的结构畸变范围内增强。他们还提出了利用在外加偏压下界面附近氧空位迁移导致的Pt/LMO之间肖特基势垒高度变化的理论模型,成功对实验结果进行了较好的解释。该研究发表在Small, 8, 1279 (2012)。

   相关工作得到了国家重大研究计划 NO. 2012CB921403,国家自然科学基金项目No. 10825418, No. 11134012和科学院方向性项目的支持。

来源:中国科学院物理研究所

About Xu Guangchen

MaterialsViewsChina专栏作者,同时为WILEY出版集团旗下的材料科学类期刊提供作者服务。