铁电材料用于光存储器

铁电材料已被用于非易失随机存取存储器(RAM)的生产。至今富士通公司已经生产了超过10亿片FeRAM产品(如果你拆开一台Playstation2,里面就有一块)。

一个经常被忽略的,但是很重要的问题是铁电材料中的泄漏,即在材料中可以检测到一个dc传导。针对应用方面的不同,对这种泄漏是可以有一定的容忍限度。而且我们也可以通过对材料的处理和掺杂来抑制泄漏。

但是,存在泄漏的铁电材料也会展示出复杂的,有时甚至是神秘的光电性能,我们虽然在50多年前就发现了这种现象,但至今还不能很好地解释它。韩国KAIST、美国罗格斯大学和英国剑桥大学的研究人员合作,研究了纳米尺度上BiFeO3材料的光电性能,并提出将它应用于光学存储。

他们的研究成果发表在最近的Advanced Optical Materials上。他们将调制的会聚到500nm尺寸的激光束扫过BiFeO3薄膜,利用该技术我们可以测量不同区域的光电流和光电压。初步的研究结果表明该材料具有光存储应用的前景。

W. Lee et al., Adv. Opt. Mater. 2012, DOI: 10.1002/adma.201102816