碳纳米管阵列

Carbon Nanotubes Arrays有一种新方法能够使石英基板上的单壁碳纳米管水平定向阵列密度翻番。该方法的基本原理是利用化学气相沉积生长的多次循环来得到大范围密度均匀和明显地增加,而这在以前是不可能实现的。

单壁碳纳米管(SWNT)的水平定向阵列,特别是那些在石英上形成的阵列,对于设备的圆片规模集成极具价值,如:晶体管、发光二极管、传感器、光电探测器、晶体管无线电接收器、逻辑门或射频器件。在许多应用中,SWNT阵列密度的增加提高了设备的性能。Rogers等人报道了一种能使石英基板上的SWNT水平定向阵列密度翻倍的简单策略。该方法与化学气相沉积生长的多次循环有关,它可以在极大的区域内均匀、明显、重复地增加密度,其面积之大在以前是不可能实现的。他们的下一步工作是使用多重转换-打印程序实现阵列的两倍或三倍生长,进一步提高密度。作者预测密度将达到每微米100根 SWNT。

S. W. Hong et al., Adv. Mater., DOI: 10.1002/adma.200903238