Advanced Electronic Materials:基于全钙钛矿多铁隧道结的超快、低功耗、非易失、多态信息存储

中国科学技术大学李晓光教授和殷月伟教授课题组选择具有磁电耦合存储特性的多铁隧道结(Multiferroic Tunnel Junction)作为研究对象,开发了一种具有超低功耗、快速处理、多阻态的全图形化Crossbar结构器件。

Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2018年6月)

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反铁磁锰氧化物中多价态锰离子诱导的奇异铁磁

南京大学电子学院王学锋教授课题组及其合作团队开展了LaMnO3异质结奇异铁磁性起源的研究。该工作不仅揭示了原本反铁磁LaMnO3出现奇异铁磁性的机制,而且拓宽了对关联氧化物中氧过量这一问题的理解,对设计和制造全氧化物自旋电子器件具有重要意义。

Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2018年5月)

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二维材料范德华异质结构实现高性能模拟信号调制

南京大学缪峰教授课题组利用一种新型的石墨烯/碲化钼范德华异质结构,成功实现了高性能的模拟信号调制。

Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2018年3月)

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Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2018年2月)

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2017年Advanced Electronic Materials最热文章

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Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2018年1月)

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Advanced Electronic Materials 热点文章排行榜Top 10 (2017年12月)

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