基于Au/YIG/n-Si异质结的亚纳秒、多态、非易失阻变存储器原型

中国科学技术大学李晓光教授和殷月伟教授课题组在掺杂硅片上构建了Au/YIG/n-Si阻变式存储器,获得了具有高电阻开关比(~ 104)和超快写入速度(~ 540 ps)的单极性电阻转变行为,并基于此实现了可在室温和85℃下工作的超快、多态、非易失信息存储,该发现突显了阻变式存储器在下一代高性能信息存储中的应用潜质,将有益于应对大数据时代“存储墙”所带来的信息存储和处理速度慢的困境。