高压挤出二维层状纳米片中的晶体堆积缺陷

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美国阿贡国家实验室纳米材料中心孙玉刚和合作者针通过对二氧化锰纳米片施加直于纳米片基面方向的机械压力,发现当压力足够大时纳米片中的晶体堆积缺陷可以被有效消除。

缺陷影响聚芴材料的蓝光发射

adfm201100374

酮(ketones)缺陷会影响聚芴材料(Polyfluorenes)的电荷传输性能,将它的深蓝光发射转化为比较 […]

更高效的薄膜太阳能电池

aenm201100344

理解制备工艺对薄膜材料的结构及进一步光电性能的影响,有助于加速薄膜太阳能电池研究的发展。

高速铁路轨道用钢

srin201100039

高速列车的运行速度越来越快。它将在未来交通的规划中起到重要的作用。高速列车的运行成本低廉,可以搭载的乘客多,能 […]

如何制备更薄的AlGaN/GaN HFETs

HFETs

Chevtchenko及其在柏林的Ferdinand-Braun-Institut研究所的同事就GaN缓冲器的 […]