P型氧化物薄膜晶体管取得新突破—低温溶液法制备高性能透明Cu:NiO薄膜电子器件

青岛大学单福凯课题组在P型氧化物研究领域取得重要进展。该课题组利用溶液旋涂技术和“燃烧合成(combustion)”工艺在低温下(150oC)制备了P型Cu掺杂NiO(Cu:NiO)半导体薄膜。

Solar RRL:基于有机-无机杂化钙钛矿的叠层太阳能电池进展

北京大学工学院周欢萍课题组基于光模拟对钙钛矿叠层电池的设计准则,提出了前瞻性的建议;随后,通过对叠层电池的吸光材料的划分,分别从钙钛矿/硅、钙钛矿/钙钛矿以及钙钛矿/其他这三个方面对当下基于钙钛矿的主流叠层电池进行了分类讨论,并对透明电极、隧道结、吸光带隙调整等关键部分进行了着重阐述。

N,P共掺杂碳纳米片负载的MoSe2作长寿命、高倍率钠离子负极材料性能以及储钠机制研究

山东大学杨剑教授课题组设计并制备了氮、磷共掺杂碳纳米片负载的二硒化钼复合电极材料(MoSe2/N,P-rGO)。充分利用了掺杂碳材料较高的导电性能与牢固的界面结合能力,并且缓解了体积效应,增加了电极材料的循环稳定性和倍率性能。

二维过渡金属硫属化物晶体管在性能调控方面的研究进展

香港理工大学柴扬课题组从多个方面详细总结了二维过渡金属硫属化物晶体管性能调控上的最新进展,包括对载流子类型和密度的调控,优化二维半导体与金属电极的接触,以及改善二维半导体与栅介质之间的界面。

一种非制式爆炸物气氛识别检测方法:ZnS纳米晶掺杂调控的传感器阵列

窦新存团队利用锰离子掺杂对ZnS纳米晶的表面氧吸附量、载流子浓度以及电子耗尽层进行了有效调控,实现了对ZnS纳米晶气敏性能的可控调节,制备出了稳定性高、重复性好、检测限低、响应速度快的ZnS纳米晶基传感器阵列。

与传统半导体工艺兼容的二维材料载流子调控与掺杂思路

香港理工大学应用物理系柴扬教授课题组通过改变WSe2厚度或者沉积氧化物薄层的技术,实现了多数载流子可控的WSe2晶体管。

脱卤反应:碳材料可控制备新思路

北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室的孙晓明研究团队与凯斯西储大学戴黎明课题组合作,发展了一种碳材料的新型制备策略,所采用的碳源为有机卤化物高分子(主要指聚偏二氯乙烯(PVDC)和聚偏二氟乙烯(PVDF)),利用该类有机卤化物可在强碱性的物质(例如KOH)的帮助下,实现官能团的快速脱除,温和条件下有效获得碳材料。

用于荧光成像的新型上转换纳米晶

吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室的张皓教授课题组采用热注射方法,在高沸点有机溶剂中制备出具有小尺寸、红色发光和强发光特性的Mn2+掺杂NaYF4:Yb3+,Er3+上转换纳米晶。

核壳结构氮掺杂碳纳米管复合纤维

由于其独特的化学结构和优异的机械、电学、电化学催化性能,碳纳米管被广泛应用于光电器件和电化学器件中:如有机光电 […]

新型石墨烯掺杂方法

石墨烯(Graphene)优异的物理化学性质向人们展现了它广泛的应用前景,尤其是在纳电子学领域。石墨烯具有惊人 […]