Advanced Electronic Materials:基于石墨烯-二硫化钼-二硫化钨异质结的宽带高效全光纤光电探测器

南京大学徐飞教授、陆延青教授将石墨烯与二硫化钼(MoS2)和二硫化钨(WS2)这两种能带交错的二维材料结合形成范德瓦尔斯异质结,同时兼具了高光响应度、高响应速度、宽的探测波长范围,从而实现高性能的光电探测。

二维半导体二硫化钨纳米材料光学特性的综述与展望

复旦大学丛春晓教授和新加坡南洋理工大学于霆教授、尚景志博士、汪彦龙博士合作系统地介绍了二维层状半导体材料二硫化钨的激子发光特性包括激子、带电激子、束缚激子和双激子,以及层数、应力、衬底、缺陷、外加磁场、圆偏光、电学掺杂、化学掺杂、等离子体效应等对层状二硫化钨能带结构和激子发光特性的影响和调制。

二维超薄半导体材料:大面积、单分子层WS2单晶的制备与其光学特性

新加坡南洋理工大学数理学院于霆教授及其研究团队尝试利用一步化学气相沉积法,即在惰性气体气氛下用硫蒸汽直接硫化氧化钨(WO3)的方法成功制备出了尺寸大约为200 微米的均匀单分子层的三角形状的WS2单晶。