InfoMat: 基于电子显微技术的二维材料光电器件表征和操控研究进展

中国科学院半导体研究所沈国震、中国科学院上海技术物理研究所胡伟达、华东师范大学吴幸和澳大利亚昆士兰科技大学孙子其在题目为“Characterization of atomic defects on the photoluminescence in two-dimensional materials by using transmission electron microscope”的邀请综述论文中介绍了透射电子显微学表征和操控在二维层状材料中运用的特点及优势,揭示了层状结构、材料缺陷与光致发光的内在关系。

中科院上海技物所基于浮栅结构低维材料光电探测器取得进展

胡伟达等研究人员,把传统浮栅存储器结构引入光电探测器,利用浮栅“捕获”(Program)和“释放”(Erase)载流子的特性,将沟道电子“存入”浮栅内,从而引入一种垂直局域电场,这种局域电场实现了对二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽,显著降低了器件暗电流,提高器件在弱光下的探测性能。