如何制备更薄的AlGaN/GaN HFETs

2010年02月11日 By MaterialsViews编辑部请评论

HFETs Chevtchenko及其在柏林的Ferdinand-Braun-Institut研究所的同事就GaN缓冲器的厚度对AlGaN/GaN 异质结场效应管（HFETs）性能的影响进行了研究。缓冲器厚度降低时会随之出现关态击穿电压，这是因为更薄的GaN层表面上的更高的错位密度会减少缓冲器的渗漏。这篇文章最后介绍了两种可能控制缓冲器错位密度的机制，从而制备出更薄的HFER，而且不会损害其性能。